公共基础放大器

在本教程中，我们将了解配置为公共基础放大器的BJT。我们将看到公共基础放大器的不同特征，例如其电压增益，当前增益，输入和输出电阻等。

介绍

双极连接晶体管或仅仅是BJT是三个末端半导体装置，具有N和P型半导体材料的交替层。与晶体管的三个区域相对应的三个端子称为发射极，基础和收集器。

基于区域的配置，BJT可以是NPN类型的PNP类型。由于电子和孔都充当电流载体，因此使用术语“双极”。

基本上，可以将BJT配置为作为放大器或开关工作。如果将BJT配置为放大器，则在输出时，在输入处施加的电信号的幅度增加了几次。

将BJT配置为开关是晶体管的常见应用程序之一。通过在截止和饱和区域操作晶体管，您可以使用晶体管实现电子开关。

常见的基本配置

晶体管可以通过三种方式以两键安排进行配置。它们是常见的发射极连接，共同的收集器连接和共同的基础连接。在常见的基础配置中，终端是输入和输出的共同点。

下图显示了常见基础配置中的NPN和PNP晶体管。无论晶体管的类型如何，共同基础配置的基本终端始终处于地面电位。

在常见的基础配置中，输入变量是发射器电流i_e和发射器电压v_是。同样，输出变量是收集器电流i_C和收集器电压V的基础_CB。

为了充分描述公共基础配置（如通用基础放大器）的特征，您需要两组特征。

• 输入特性（又称驾驶点或转移特性）
• 输出特征（或收集器特征）

输入特性将关联输入变量，即发射器电流i_e和发射器电压v_是而输出变量v_CB保持不变。

来到输出特性，它们将关联输出变量，即收集器电流i_C和收集器电压V_CB而输入变量发射器当前i_e保持不变。

输出特性为我们提供了晶体管的三个操作区域的图片，即截止，活动性和饱和度。

公共基础放大器

放大器是电子电路，它增加了电信号的幅度。电源的电力用于增加信号的幅度。放大器的增益是确定放大器提供的放大量的数量。

一个简单的放大器电路可以使用单个晶体管（BJT或FET）以及一些被动组件设计。BJT的单晶体管放大器具有三个配置。他们是：

• 常见的发射极放大器
• 普通收集器放大器
• 公共基础放大器

本教程的重点是与公共基础放大器一起使用基本电路及其性能特性，即电压增益，电流增益，输入电阻和输出电阻。

典型的公共基础放大器具有以下拓扑结构。

• 输入是在BJT的发射极中给出的。
• 输出取自BJT的收集器。
• 对于输入和输出都是共有的基本端子，通常连接到地面。

公共基础放大器电路

下图显示了带有电压分隔符构型的典型的公共基本放大器电路。

BJT的基部是公共端子，由于电容器而在交流地面。输入信号通过电容器耦合给出发射极。输出是在收集器处采取的，并且负载与收集器相结合。

公共基础放大器的特性

关于晶体管AC模型的R参数，解释了公共基础放大器的所有特性。另外，您可以使用H参数。

为了确定特征，我们需要构建公共基础放大器的交流等效模型。下图显示了相同的图像。

电压增益

从发射极（输入）到收集器（输出）的CB放大器的电压增益由

一个_v= vout / vin = vc / ve = ic rc / ie（r'e || r_e）≈ie rc / ie（r'e || r_e）

假设r_e>> r’e，然后_v≈rc / r'e

在这里，rc = r_C||r_l

r'e =交流发射器抵抗

没有相位反转的情况下，公共碱基放大器的电压增益非常高。

当前增益

CB放大器的电流增益输出电流除以输入电流。从交流等效模式来看，IC是输出电流，IE是输入电流。

由于IC≈IE，因此电流增益AI≈1。

输入电阻

输入电阻是在发射极处的等效电阻。它由

rin = vin / iin = ve / ie = ie（r'e || r_e） / ie = r'e ||r_e

通常，r_e比R'e大得多。

如果r_e>> r'e，然后rin≈r'e。

这意味着公共碱基放大器的输入电阻通常非常低。

输出电阻

输出电阻是在公共碱基放大器的输出上回头回到放大器处的thevenin等效物。AC收集器的阻力R'C与R平行_C而且通常比R大得多_C。

因此，途径≈r_C

结论

常见的基础放大器不太常用于常见的发射极放大器。它用于提供电压增益而无需任何当前增益。在某些高频应用中，它用作电压放大器或缓冲区。

基于上述分析，我们可以对公共基础放大器进行以下结论。

• 它具有相对较高的电压增益。
• 当前增益小于或有时大约等于1。
• 输入阻抗很低。
• 输出阻抗很高。