电子工程专业的学生无论准备面试还是口试都需要面对一些基本的电子问题。因此，本文将为您提供一些面试和其他竞争性考试的基本电子学问题。
一般来说，你需要参考各种各样的书籍，以涵盖电子的海洋主题。为了方便大家，我从不同的主题中收集了一些基本的电子问题，并将它们组织到不同的部分。
最初，我将主要集中在多项选择题类型的问题，在未来，我将添加解释和一些简短回答类型的问题。
大纲
基本介绍的问题
1.什么是理想的电压源?
答:内阻为零的装置。
2.什么是理想的电流源?
答:具有无限内阻的装置。
3.什么是实用的电压源?
答:内阻小的装置。
4.什么是实际的电流源?
答:内阻大的装置。
5.理想电压源的输出电压为
答:0
b常数
C.负载阻力相关
D.内阻相关
答:B
6.理想电流源输出的电流为
答:0
b常数
C.负载阻力相关
D.内阻相关
答:B
7.电流在两点之间通过的路径称为
答:一个网络
b .中继
c电路
d .循环
答:C
8.根据欧姆定律，电流的公式为
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
答:一个
9.电阻的单位为
答:伏
b .音箱
c .欧姆
d .库仑
答:C
10.在恒压直流电路中，当电阻增大时，电流将增大
答:减少
b .停止
c .增加
d .保持不变
答:一个
半导体基础理论问题
1.硅原子中的价电子数是
答:1
b . 4
c . 8
d . 16
答:B
2.最常用的半导体元件是
答:硅
b .锗
c .镓
d .碳
答:一个
3.铜是一种
答:绝缘子
b .导体
c .半导体
d .超导体
答:B
4.硅原子原子核中的质子数是
答:4
b . 14
c . 29
d . 32
答:B
5.导体的价电子也称为电子
答:束缚电子
b .自由电子
c核
d .质子
答:B
6.本征半导体在室温下具有
A.一些自由电子和空穴
b很多洞
C.许多自由电子
d .没有洞
答:一个
7.在室温下，一个固有的半导体有一些洞，因为
答:掺杂
b .自由电子
c .热能
d .价电子
答:C
8.内在半导体的孔数是
a，等于自由电子数
B.大于自由电子的数量
C.小于自由电子数
D.以上都不是
答:一个
9.洞作为
答:原子
b .晶体
c .负电荷
d .正电荷
答:D
10.在一群人中挑一个
答:导体
b .半导体
C.四个价电子
d .晶体结构
答:一个
11.要生产p型半导体，需要添加
答:三价杂质
b .碳
c .五价的杂质
d .硅
答:一个
12.电子是其中的少数载流子
答:非本征半导体
b p型半导体
c .本征半导体
d . n型半导体
答:D
13.p型半导体包含
A.空穴和负离子
B.空穴和正离子
C.空穴和五价原子
D.空穴和供体原子
答:一个
14.五价原子有多少电子?
答:1
b . 3
c . 4
d . 5
答:D
15.负离子是
a .获得质子的原子
B.失去一个质子的原子
C.获得电子的原子
D.失去一个电子的原子
答:C
16.势垒两侧PN结电离的结果是什么?
答:障碍电压
b .结
c .耗尽区
d .正向电压
答:C
17.损耗区域的原因是__________
答:扩散
b离子
c .掺杂
d .正向电压
答:一个
18.下列哪项是半导体?
答:氩
b .碳
c .云母
d .陶瓷
答:B
19.掺杂材料中有以下几种
a . n型半导体
b大部分航空公司
C.外部半导体材料
d .五价的材料
答:D
20.我们可以很容易地激活少数载波使用
答:正向电压
b .掺杂
c .热
d .的压力
答:C
半导体二极管的基本问题
1.损耗层是由
答:掺杂
b复合
c .潜在障碍
d .离子
答:B
2.二极管中的反向电流通常为
答:非常小
b非常大
c . 0
D.在击穿区
答:一个
3.二极管雪崩发生在
答:潜在障碍
b .耗尽层
c .膝盖电压
d .击穿电压
答:D
4.硅二极管的势垒为
答:0.3 V
b . 0.7 V
c . 1 V
d . 5伏
答:B
5.硅二极管的反向饱和电流是锗二极管的_____
答:平等
b .更高
c .低
D.取决于温度
答:C
6.二极管是
答:双边设备
b .非线性设备
c .线性设备
d .单相设备
答:C
7.对于哪种情况，二极管电流较大
答:正向偏压
b .逆偏见
c .可怜的偏见
d .反向偏压
答:一个
8.桥式整流器的输出电压信号为
答:半波
b .全波
c . Bridge-rectified信号
d .正弦波
答:B
9.如果桥式整流器中二极管的最大直流额定电流是1A，那么最大直流负载电流是多少?
答:1
2 b。
4 c。
8 d。
答:B
10.电压倍增器生产
A.低电压、低电流
B.低电压大电流
C.高电压小电流
D.高电压、大电流
答:C
11.什么是快船?
答:一种去除波形的一部分(正极或负极)以使其不超过某一电压水平的电路。
12.什么是夹钳?
答:一种给波加直流电压(正或负)的电路。
13.齐纳二极管可以描述为
A.整流二极管。
B.恒压装置。
C.恒流装置。
D.工作在正向区域的设备。
答:B
14.如果齐纳二极管连接在错误的极性，电压横跨负载是
答:0.7 V
b . 10 V
c . 14 V
d . 18 V
答:一个
15.由于二极管允许电流只向一个方向流动，它们可以用于
答:限流
B.反极性保护
c .存储电荷
d .电压调整
答:B
16.当你用万用表测试一个好的二极管时，它会显示出来
A.正向偏置或反向偏置时电阻低
B.正向偏置或反向偏置时电阻高
C.正向偏置时电阻高，反向偏置时电阻低
D.正向偏置时电阻低，反向偏置时电阻高
答:D
17.什么时候电流在PN结中流动?
A.当p型和n型元素电位相同时
B.当p型或n型元素都没有势时
C.当p型元素的正电位大于n型元素时
D.当n型元素的正电位大于n型元素时
答:C
18.夹紧电路一般用于
A.电视发射机和接收器
b . FM发射器
C.信号发生器(方形、梯形等)
D.以上所有
答:D
19.二极管正向偏置和反向电流的测量单位为
A μ A和μ A
B. mA和µA
C. μ A、mA
D. mA和mA
答:B
20.用什么图形方法来建模二极管特性
答:指数法
B.小信号逼近
c .迭代法
D.恒压降法
答:一个
晶体管的基本问题
1.晶体管中PN结的数目
答:一个
b两
c .三
d .四
答:B
2.NPN晶体管中碱基的掺杂浓度为
答:轻掺杂
b .适度掺杂
c .重掺杂
d .不掺杂
答:一个
3.NPN晶体管中的基极-发射极二极管(基极-发射极结)是
答:不进行
b .正向偏压
c .反向偏置
D.在击穿区工作
答:B
4.基极、发射极和集电极的尺寸比较如下
A.基极>集电极>发射极
B.发射极>集电极>底座
C.集电极>发射极>底座
D.人人平等。
答:C
5.基极集电极二极管(基极集电极结)通常是
答:反向偏置
b .正向偏压
c .击穿区域
d .没有传导
答:一个
6.晶体管的直流电流增益为
A.发射极电流与集电极电流之比
B.基极电流与发射极电流之比
C.集电极电流与基极电流之比
D.基极电流与集电极电流之比
答:C
7.如果基极电流为100µA，电流增益为100，则集电极电流为
答:1
10 b .
c . 1马
d . 10马
答:D
8.NPN和PNP晶体管中的大多数载流子是
A.空穴与电子
B.电子与空穴
C.受体离子和给体离子
d .没有
答:B
9.晶体管充当一个
a .电压源和电流源
B.电流源和电阻
C.二极管和电流源
D.二极管和电源
答:C
10.基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC之间的关系为
A. ie = ib + IC
B. ib = IC + ie
C. ie = ib - IC
D. IC = ib + ie
答:一个
11.晶体管耗散的总功率是集电极电流和的乘积
答:电源电压
b . 0.7 v
C.集电极-发射极电压
D.基极-发射极电压
答:C
12.共同发射器配置的输入阻抗为
答:低
b高
c . 0
d .很高
答:一个
13.共同发射器配置的输出阻抗为
答:低
b非常低
c .高
d . 0
答:C
14.两种类型的双极结晶体管(bjt)
a.nnn和ppp
B. npn和pnp
C. pnn和npp
D. nnp和ppn
答:B
15.BJT的常见错误是什么?
答:内部短
B.开偏电阻器
C.外部开放和
D. nnp和ppn
答:B
16.数字电路中晶体管的通常工作区域是
答:活跃的地区
b线性区域
c .击穿区域
D.截止和饱和区域
答:D
17.发射器跟随器配置的另一个名称是
A.共基极放大器
B.共发射极放大器
C.公共集电极放大器
d·达林顿对
答:C
18.BJT是_________，FET是________
A.躁郁症和单相情感障碍
B.双相情感障碍和躁郁症
C.单极和单极
D.单相和双相情感障碍
答:一个
19.公共基结构(α)中的电流增益为
A.基极电流与发射极电流之比(IB/IE)
B.集电极电流与发射极电流之比(IC/IE)
C.集电极电流与基极电流之比(IC/IB)
d .没有
答:B
20.α与ß的关系为
A. α = ß / (ß + 1)
B. ß = α / (1 - α)
C. α = ß * (ß + 1)
D. α = ß / (ß - 1)
答:A和B
