采访的基本电子问题

电子工程专业的学生需要面对一些基本电子产品,无论是准备面试还是Viva VOCE。因此,本文为您提供了一些基本的电子问题,以进行面试和其他竞争性考试。

通常,您需要推荐各种书籍才能涵盖电子主题的海洋。为了使你们变得轻松,我从不同的主题中收集了一些基本的电子问题,并将其组织到不同的部分。

最初,我将主要专注于多项选择类型的问题,将来我会添加解释和一些简短的答案类型问题。

基本简介问题

1.什么是理想的电压源?
回答:内部电阻为零的设备。

2.什么是理想的当前来源?
回答:具有无限内部电阻的设备。

3.什么是实际电压源?
回答:具有较小内部电阻的设备。

4.什么是实际的电流来源?
回答:具有较大内部电阻的设备。

5.理想电压源的电压是
A.零
B.常数
C.负载电阻依赖性
D.内部阻力依赖性
回答:b

6.最新当前来源的当前是
A.零
B.常数
C.负载电阻依赖性
D.内部阻力依赖性
回答:b

7.可以携带电流的两个点之间的路径称为
A.网络
B.接力
C.电路
D.循环
回答:C

8.根据欧姆法律的当前公式是
A.电压 /电阻
B.电阻 *电压
C.电压 +电阻
D.电阻 /电压
回答:一个

9.电阻单位是
A.伏特
B. amp
C. OHM
D.库仑
回答:C

10.在恒定电压直流电路中,当电阻增加时,电流将会
A.减少
B.停下来
C.增加
D.保持恒定
回答:一个

基本半导体理论问题

1.硅原子中的价电子数为
A. 1
B. 4
C. 8
D. 16
回答:b

2.最常用的半导体元素是
A.硅
B.锗
C.炮
D.碳
回答:一个

3.铜是
A.绝缘体
B.导体
C.半导体
D.超级导体
回答:b

4.硅原子细胞核中的质子数为
A. 4
B. 14
C. 29
D. 32
回答:b

5.导体的价电子也称为
A.绑定的电子
B.免费电子
C.核
D.质子
回答:b

6.室温下的内在半导体
答:一些免费的电子和孔
B.许多孔
C.许多免费电子
D.没有孔
回答:一个

7.在室温下,固有的半导体有一些孔。
A.掺杂
B.免费电子
C.热能
D.价电子
回答:C

8.固有半导体中的孔数为
A.等于免费电子的数量
B.大于免费电子数量
C.少于免费电子数量
D.以上都没有
回答:一个

9.孔的作用
A.原子
B.晶体
C.负电荷
D.积极指控
回答:d

10.在小组中选择奇数
A.导体
B.半导体
C.四价电子
D.晶体结构
回答:一个

11.要产生P型半导体,您需要添加
A.三价杂质
B.碳
C.五角质杂质
D.硅
回答:一个

12.电子是少数族裔载体
A.外部半导体
B. P型半导体
C.内在的半导体
D. N型半导体
回答:d

13. P型半导体包含
A.孔和负离子
B.孔和阳性离子
C.孔和五价原子
D.孔和供体原子
回答:一个

14.五价原子有几个电子?
A. 1
B. 3
C. 4
D. 5
回答:d

15.负离子是
A.获得质子的原子
B.失去质子的原子
C.获得电子的原子
D.失去电子的原子
回答:C

16.潜在屏障两侧的PN连接处电离的结果是什么?
A.屏障电压
B.交界处
C.耗尽区
D.正向电压
回答:C

17.耗尽区域的原因是__________
A.扩散
B.离子
C.掺杂
D.正向电压
回答:一个

18.以下哪个是半导体?
A.氩气
B.碳
C.云母
D.陶瓷
回答:b

19.以下掺杂材料是
A. N型半导体
B.多数承运人
C.外部半导体材料
D.五价材料
回答:d

20.我们可以轻松地使用少数民族运营商
A.向前电压
B.掺杂
欺骗
D.压力
回答:C

基本半导体二极管问题

1.耗竭层是由
A.掺杂
B.重组
C.屏障潜力
D.离子
回答:b

2.通常是二极管中的反向电流
A.很小
B.很大
C.零
D.在故障区域
回答:一个

3.二极管中的雪崩发生在
A.屏障潜力
B.耗尽层
C.膝盖电压
D.故障电压
回答:d

4.硅二极管的潜在障碍是
A. 0.3V。
B. 0.7 v
C. 1 v
D. 5V
回答:b

5.硅二极管中的反向饱和电流_____比锗二极管的反向饱和电流
A.相等
B.更高
C.较低
D.取决于温度
回答:C

6.二极管是
A.双边装置
B.非线性装置
C.线性装置
D.单极装置
回答:C

7.二极管电流很大
A.前向偏见
B.逆偏置
C.偏见
D.反向偏见
回答:一个

8.桥梁整流器的输出电压信号为
A.半波
B.全波
C.桥梁矫正信号
D.正弦波
回答:b

9.如果桥梁整流器中二极管的最大直流电流额定值是1A,则最大直流负载电流是多少?
A. 1a
B. 2a
C. 4a
D. 8a
回答:b

10.电压乘数生产
A.低压和低电流
B.低压和高电流
C.高电压和低电流
D.高压和高电流
回答:C

11.什么是快船?
回答:卸下波形的零件(正或负)的电路,以免它超过一定的电压水平。

12.什么是爆米花?
回答:将直流电压(正或负)添加到波浪中的电路。

13.齐纳二极管可以描述为
A.整流器二极管。
B.具有恒定电压的设备。
C.具有恒定电流的设备。
D.一种在正向区域工作的设备。
回答:b

14.如果齐纳二极管连接在错误的极性中,则负载的电压为
A. 0.7 V
B. 10 v
C. 14 v
D. 18 v
回答:一个

15.由于二极管仅允许电流朝一个方向流动,因此可以用于
A.当前限制
B.反极性保护
C.存储费用
D.电压调节
回答:b

16.当您用万用表测试良好的二极管时,它显示
A.向前偏置或反向偏置时低电阻
B.前向偏置或反向偏置时高电阻
C.反向偏置时向前偏置和低电阻时高电阻
D.反向偏置时向前偏置和高电阻时的低电阻
回答:d

17. PN连接处的电流何时流动?
答:当P型和N型元素都有相同的潜力时
B.当p型或n型元素的潜力时
C.当P型元件比N型元素具有更积极的潜力
D.当N型元素比N型元素具有更积极的潜力
回答:C

18.夹具通常用于
A.电视发射器和接收器
B. FM发射器
C.信号发生器(正方形,梯形等)
D.以上所有
回答:d

19.二极管的正向偏差和反向电流的测量单位是
A. µA和µA
B. MA和µA
C. µA和MA
D. MA和MA
回答:b

20.使用什么图形方法来建模二极管特性
A.指数法
B.小信号近似
C.迭代方法
D.恒定电压下降法
回答:一个

基本晶体管问题

1.晶体管中的PN连接数量
A.一个
B.两个
C.三
D.四
回答:b

2. NPN晶体管中碱的掺杂浓度为
A.轻轻掺杂
B.中度掺杂
C.掺杂
D.不掺杂
回答:一个

3.基地 - NPN晶体管中的发射器二极管(基础 - 发射器连接)是
A.不进行
B.前进偏见
C.反向偏见
D.在故障区域运行
回答:b

4.基础,发射器和收集器之间的尺寸比较是
A.基础>收集器>发射器
B.发射器>收藏家>基础
C.收集器>发射器>基础
D.都相等
回答:C

5.基地 - 集合二极管(基本收集器连接)通常为
A.反向偏见
B.前进偏见
C.故障区域
D.没有传导
回答:一个

6.晶体管的直流电流增益为
A.发射器电流与收集器电流的比率
B.基本电流与发射器电流的比率
C.收集器电流与基本电流的比率
D.基本电流与收集器电流的比率
回答:C

7.如果基本电流为100µA,并且电流增益为100,则收集器电流为
A. 1a
B. 10a
C. 1mA
D. 10mA
回答:d

8. NPN和PNP晶体管中的大多数载体是
A.孔和电子
B.电子和孔
C.受体离子和供体离子
D.无
回答:b

9.晶体管充当
A.电压源和当前源
B.当前的来源和电阻器
C.二极管和电流源
D.二极管和电源
回答:C

10.基本电流IB,发射器电流IE和收集器当前IC之间的关系是
答:IE = IB + IC
B. IB = IC + IE
C. IE = IB - IC
D. ic = IB + IE
回答:一个

11.晶体管消散的总功率是收集器电流的产物,
A.电源电压
B. 0.7V
C.收集器 - 发射器电压
D.基础 - 发射器电压
回答:C

12.常见发射极配置的输入阻抗是
A.低
B.高
C.零
D.很高
回答:一个

13.常见发射极配置的输出阻抗是
A.低
B.非常低
C.高
D.零
回答:C

14.两种类型的双极连接晶体管(BJT)为
A. NNN和PPP
B. NPN和PNP
C. PNN和NPP
D. NNP和PPN
回答:b

15. BJT中有什么常见错误?
A.内部短
B.开放偏置电阻器
C.外部开放和
D. NNP和PPN
回答:b

16.数字电路中晶体管的通常操作区域是
A.活跃区域
B.线性区域
C.故障区域
D.截止和饱和区域
回答:d

17.发射机追随者配置的另一个名称是
A.公共基础放大器
B.常见的发射极放大器
C.普通收集器放大器
D.达灵顿对
回答:C

18. BJT是_________,FET是________
A.双极和单极
B.双极和双极
C.单极和单极
D.单极和双极
回答:一个

19.当前的共同基础配置(α)的收益为
A.基本电流与发射器电流的比率(IB/IE)
B.收集器电流与发射器电流的比率(IC/IE)
C.收集器电流与基本电流的比率(IC/IB)
D.无
回答:b

20.α和ß之间的关​​系为
A.α=ß /(ß + 1)
b.ß=α /(1 - α)
C.α=ß *(ß + 1)
D.α=ß /(ß–1)
回答:A和B

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