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面试基本电子问题

电子工程专业的学生无论准备面试还是面试,都需要面对一些基本的电子问题。所以,这篇文章为你提供了一些面试和其他有竞争力的考试中基本的电子学问题。

一般来说,您需要参考各种各样的书籍,以便涵盖电子领域的众多主题。为了方便你们,我从不同的主题收集了一些基本的电子问题,并将它们组织到不同的部分。

一开始,我将主要集中于选择题类型的问题,未来我将添加解释和一些简答题类型的问题。

基本介绍的问题

1.什么是理想电压源?
答:一种内阻为零的装置。

2.什么是理想的电流源?
答:具有无限内阻的装置。

3.什么是实用的电压源?
答:一种内阻小的装置。

4.什么是实际的电流源?
答:内阻大的装置。

5.理想电压源的输出电压为
答:0
b常数
C.负载电阻相关
D.内阻依赖
答:B

6.理想电流源的输出电流为
答:0
b常数
C.负载电阻相关
D.内阻依赖
答:B

7.电流可以沿着两点之间的路径被称为
答:一个网络
b .中继
c电路
d .循环
答:C

8.根据欧姆定律,电流的公式是
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
答:一个

9.电阻的单位是
答:伏
b .音箱
c .欧姆
d .库仑
答:C

10.在恒压直流电路中,当电阻增大时,电流也随之增大
答:减少
b .停止
c .增加
d .保持不变
答:一个

半导体基础理论问题

1.一个硅原子的价电子数是
答:1
b . 4
c . 8
d . 16
答:B

2.最常用的半导体元件是
答:硅
b .锗
c .镓
d .碳
答:一个

3.铜是一种
答:绝缘子
b .导体
c .半导体
d .超导体
答:B

4.一个硅原子原子核中的质子数是
答:4
b . 14
c . 29
d . 32
答:B

5.导体的价电子也称为
答:束缚电子
b .自由电子
c核
d .质子
答:B

6.本征半导体在室温下具有
一些自由电子和空穴
b很多洞
C.许多自由电子
d .没有洞
答:一个

7.在室温下,本征半导体有一些空穴,因为
答:掺杂
b .自由电子
c .热能
d .价电子
答:C

8.本征半导体中的空穴数为
等于自由电子的数量
B.大于自由电子的数量
C.小于自由电子数
以上都不是
答:一个

9.洞作为
答:原子
b .晶体
c .负电荷
d .正电荷
答:D

10.从组里挑一个奇数
答:导体
b .半导体
C.四个价电子
d .晶体结构
答:一个

11.为了生产p型半导体,你需要添加
答:三价杂质
b .碳
c .五价的杂质
d .硅
答:一个

12.电子是其中的少数载流子
答:非本征半导体
b p型半导体
c .本征半导体
d . n型半导体
答:D

13.p型半导体包含
A.空穴和负离子
B.空穴和正离子
空穴和五价原子
D.空穴和供体原子
答:一个

14.五价原子有多少个电子?
答:1
b . 3
c . 4
d . 5
答:D

15.负离子是
获得一个质子的原子
B.失去一个质子的原子
C.获得电子的原子
失去一个电子的原子
答:C

16.在PN结的势垒两侧电离的结果是什么?
答:障碍电压
b .结
c .耗尽区
d .正向电压
答:C

17.造成“枯竭区”的原因是__________
答:扩散
b离子
c .掺杂
d .正向电压
答:一个

18.下列哪项是半导体?
答:氩
b .碳
c .云母
d .陶瓷
答:B

19.掺杂材料如下
a . n型半导体
b大部分航空公司
C.外部半导体材料
d .五价的材料
答:D

20.我们可以很容易地激活少数航母使用
答:正向电压
b .掺杂
c .热
d .的压力
答:C

半导体二极管基本问题

1.耗竭层是由
答:掺杂
b复合
c .潜在障碍
d .离子
答:B

2.二极管的反向电流通常是
答:非常小
b非常大
c . 0
D.在故障区域
答:一个

3.二极管发生雪崩
答:潜在障碍
b .耗尽层
c .膝盖电压
d .击穿电压
答:D

4.硅二极管的势垒是
答:0.3 V
b . 0.7 V
c . 1 V
d . 5伏
答:B

5.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流为_____
答:平等
b .更高
c .低
D.取决于温度
答:C

6.二极管是一个
答:双边设备
b .非线性设备
c .线性设备
d .单相设备
答:C

7.在这种情况下,二极管电流较大
答:正向偏压
b .逆偏见
c .可怜的偏见
d .反向偏压
答:一个

8.桥式整流器的输出电压信号为
答:半波
b .全波
c . Bridge-rectified信号
d .正弦波
答:B

9.如果桥式整流器中二极管的最大直流电流额定值为1A,那么最大直流负载电流是多少?
答:1
2 b。
4 c。
8 d。
答:B

10.电压倍增器生产
A.低电压、小电流
B.低电压大电流
C.高电压小电流
D.高电压大电流
答:C

11.什么是Clipper?
答:一种电路,去除波形的一部分(正的或负的),使其不超过某一电压电平。

12.什么是夹钳?
答:将直流电压(正负)加到波上的电路。

13.齐纳二极管可以描述为
A.整流二极管。
一种恒压装置。
一个具有恒流的装置。
D.在前方区域工作的装置。
答:B

14.如果齐纳二极管连接在错误的极性,电压跨越负载是
答:0.7 V
b . 10 V
c . 14 V
d . 18 V
答:一个

15.由于二极管只允许一个方向的电流流动,它们可以用于
答:限流
B.反极性保护
c .存储电荷
d .电压调整
答:B

16.当你用万用表测试一个好的二极管时,它会显示出来
正向偏压或反向偏压时电阻低
B.正向偏压或反向偏压时电阻高
正向偏压时电阻高,反向偏压时电阻低
正向偏压时电阻低,反向偏压时电阻高
答:D

17.电流什么时候在PN结中流动?
当p型和n型元素处于同一位势时
当p型和n型元素都没有势时
当p型元件的电位大于n型元件时
当n型元素的电位大于n型元素时
答:C

18.钳位电路一般用于
电视发射机和接收器
b . FM发射器
C.信号发生器(方形、梯形等)
D.以上所有
答:D

19.二极管的正向偏压和反向电流的测量单位是
A.µA和µA
A
答案:c
答案:d
答:B

20.什么图形方法是用来建模二极管特性
答:指数法
B.小信号逼近
c .迭代法
D.恒压降法
答:一个

晶体管的基本问题

1.晶体管中PN结的数目
答:一个
b两
c .三
d .四
答:B

2.NPN晶体管中Base的掺杂浓度为
答:轻掺杂
b .适度掺杂
c .重掺杂
d .不掺杂
答:一个

3.在一个NPN晶体管中的基-发射极二极管(基-发射极结)是
答:不进行
b .正向偏压
c .反向偏置
D.在分解区域工作
答:B

4.基极、发射极和集电极的尺寸比较是
A. Base >收集器>发射器
B.发射器>收集器>底座
C.收集器>发射器>底座
D.人人平等
答:C

5.基极集电极(基极集电极结)通常是
答:反向偏置
b .正向偏压
c .击穿区域
d .没有传导
答:一个

6.晶体管的直流电流增益是
A.发射极电流与集电极电流之比
B.基极电流与发射极电流之比
C.集电极电流与基极电流之比
基极电流与集电极电流之比
答:C

7.如果基极电流为100µA,电流增益为100,则集电极电流为
答:1
10 b .
c . 1马
d . 10马
答:D

8.在NPN和PNP晶体管中,大多数载流子是
A.空穴与电子
B.电子和空穴
C.受体离子和施主离子
d .没有
答:B

9.一个晶体管充当一个
电压源和电流源
电流源和电阻器
C.二极管和电流源
D.二极管和电源
答:C

10.基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC之间的关系为
A. ie = ib + IC
B. ib = IC + ie
C. ie = ib - IC
D. IC = ib + ie
答:一个

11.晶体管耗散的总功率是集电极电流和的乘积
答:电源电压
b . 0.7 v
C.集电极-发射极电压
基极-发射极电压
答:C

12.“Common Emitter Configuration”的输入阻抗为
答:低
b高
c . 0
d .很高
答:一个

13.共发射极配置的输出阻抗为
答:低
b非常低
c .高
d . 0
答:C

14.有两种类型的双极结晶体管(BJTs)
A. nnn和ppp
B. npn和pnp
C. pnn和npp
D. nnp和ppn
答:B

15.BJT的常见故障有哪些?
答:内部短
B.开路偏置电阻器
C.外部开放和
D. nnp和ppn
答:B

16.数字电路中晶体管通常的工作区域是
答:活跃的地区
b线性区域
c .击穿区域
D.截止和饱和区域
答:D

17.发射器跟随器配置的另一个名称是
A.共基极放大器
B.共发射极放大器
C.公用集电极放大器
d·达林顿对
答:C

18.BJT是_________,FET是________
A.双相和单相
B.双相障碍和双相障碍
C.单极和单极
D.单极和双极
答:一个

19.共基结构(α)的电流增益为
A.基极电流与发射极电流之比(IB/IE)
B.集电极电流与发射极电流的比值(IC/IE)
C.集电极电流与基极电流的比值(IC/IB)
d .没有
答:B

20.α和ß之间的关系是
A. α = ß / (+ 1)
ß = α / (1 - α)
C. α = * (ß + 1)
D. α = ß / (- 1)
答:A和B

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