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不同结构的晶体管

在这个晶体管教程中,我们将学习关于晶体管的不同配置。由于双极结晶体管是一个三端器件,有三种不同配置的晶体管可能与bjt。了解这些不同的晶体管配置将有助于您更好地实现应用程序。

简介

我们知道晶体管一般有三个端——发射极(E)、基极(B)和集电极。但在电路连接中,我们需要四个终端,两个终端用于输入,另外两个终端用于输出。为了克服这些问题,我们使用一个终端作为输入和输出操作的通用终端。

利用这一特性,我们构造电路,这些结构称为晶体管构型。通常有三种不同的晶体管结构,它们是公共基极(CB)结构,公共集电极(CC)结构和公共发射极(CE)结构。

下面给出了这三种不同配置的晶体管相对于增益的行为。

  • CB (Common Base)配置:无电流增益,只有电压增益
  • 普通采集器配置:电流增益,无电压增益
  • 共同发射器(CE)配置:电流增益和电压增益

下面我们将讨论这三种不同结构的晶体管及其输入和输出特性。

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常见的基本配置

1.公共基符号和连接

在这种配置中,我们使用基端作为输入和输出信号的公共终端。配置名称本身表示公共终端。这里输入应用于基极和发射极端子之间,相应的输出信号在基极和集电极端子之间,基极端子接地。这里的输入参数是V海尔哥哥和我E输出参数为VCB和我C.流入发射极终端的输入电流必须高于基极电流和集电极电流才能操作晶体管,因此输出集电极电流小于输入发射极电流。

对于这种类型的配置,电流增益通常等于或小于单位。在这种配置中,输入和输出信号是同相的。的放大器电路这种类型的配置称为非逆变放大电路。这种配置电路的构造是困难的,因为这种类型有很高的电压增益值。

这种结构的输入特性看起来像被照明的光电二极管的特性,而输出特性表示正向偏压二极管。这种晶体管配置具有高输出阻抗和低输入阻抗。这种类型的配置具有较高的电阻增益,即输出电阻与输入电阻的比值较高。这种电路配置的电压增益如下所示。

一个V= V/ V=(我C* Rl) /(我E* R

通用基极配置下的电流增益为

α =输出电流/输入电流

α=我C/我E

通用基电路由于频率响应高,主要用于单级放大电路,如麦克风前置放大器或射频放大器。通用基极晶体管电路如下所示。

2.共基极晶体管电路

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输入特征

在输出电压恒定的情况下,得到了输入电流和输入电压之间的输入特性。首先保持输出电压VCB恒定和改变输入电压V海尔哥哥然后在每个点记录输入电流IE价值。在不同的输出电压水平上重复相同的过程。有了这些值,我们需要画出I之间的图E和V海尔哥哥参数。下图显示了通用基本配置的输入特性。计算输入电阻R的方程值如下所示。

R= V海尔哥哥/我E(当VCB是常数)

3.输入特性通用基础配置

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输出特性

在输入电流恒定的情况下,得到了共基极结构的输出电流与输出电压之间的输出特性。首先保持发射极电流恒定并改变电压CB值,现在记录IC每个点的值。在不同的I处重复相同的过程E值。最后我们需要画出V之间的图CB和我C在不变的我E。下图显示了通用基本配置的输出特性。输出电阻值的计算公式如下。

R= VCB/我C(当我E是常数)

4.通用基本配置的输出特性

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常见的收集器配置

5.通用收集器符号和连接

在这种配置中,我们使用收集器终端作为输入和输出信号的通用终端。这种配置也称为发射极跟随配置,因为发射极电压跟随基极电压。这种配置主要用作缓冲区。这些配置由于其高输入阻抗而广泛应用于阻抗匹配应用中。

在这种配置中,输入信号应用于基极-集电极区域之间,输出信号取自发射机-集电极区域。这里的输入参数是VBC和IB,输出参数是VEC和IE。常用的收集器配置具有高输入阻抗和低输出阻抗。输入和输出信号是同相位的。在这里,发射极电流也等于集电极电流和基极电流的和。现在让我们计算这种配置的电流增益。

电流增益,

一个=输出电流/输入电流

一个=我E/我B

一个=(我C+我B) /我B

一个=(我C/我B) + 1

一个= β + 1

6.普通集电极晶体管电路

通用集电极晶体管电路如图所示。这种常见的集电极配置是一个非逆变放大电路。这个电路的电压增益小于1,但它有很大的电流增益,因为这个电路中的负载电阻接收集电极和基极电流。

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输入特征

7.常用采集器配置的输入特性

由于输入电压V公元前很大程度上是由V电子商务的水平。在这里,

V电子商务= V海尔哥哥+ V公元前

V海尔哥哥= V电子商务- - - - - - V公元前

共集电极配置的输入特性在输入电流I之间得到B输入电压VCB在恒定输出电压V下电子商务.保持输出电压V电子商务在不同电平恒定,并改变输入电压V公元前不同的点,记录IB每个点的值。现在利用这些值,我们需要在V的参数之间画一个图公元前和我B在恒定V电子商务

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输出特性

共同集电极电路的工作原理与共同发射极电路的工作原理相同。一般集电极电路的输出特性在输出电压V之间得到电子商务输出电流IE在恒定输入电流I下B.在公共集电极电路的工作中,如果基极电流为零,则发射极电流也为零。因此,没有电流流过晶体管

如果基极电流增加,则晶体管工作在有源区,最后达到饱和区。为了绘制图形,我们先保留IB我们改变V的值电子商务值,现在我们需要记录I的值E对于每一个点。对不同的I重复相同的过程B值。现在用这些值,我们需要画出I的参数之间的图E和VCE在恒定的I值下B.下图为普通集电极的输出特性。

8.常用采集器配置的输出特性

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共发射极配置

在这种配置中,我们使用发射器作为输入和输出的公共终端。这种常见的发射器配置是一个逆变放大电路。这里的输入应用于基极-发射极区域之间,输出在集电极和发射极终端之间。在这个配置中,输入参数是V和我B输出参数为VCE和我C

这种结构主要用于晶体管放大器的应用中。在这种配置中,发射极电流等于小基极电流和大集电极电流的总和。也就是说,我E=我C+我B.我们知道集电极电流和发射极电流之间的比值等于共同基极配置中的电流增益alpha,同样,集电极电流和基极电流之间的比值等于共同发射极配置中的电流增益beta。

9.共同发射极符号和连接

现在让我们看看这两种当前收益之间的关系。

电流增益(α) = IC/我E

电流增益(β) = IC/我B

集电极电流我C我=αE我=βB

该配置通常是三种配置中的一种。它有介质输入和输出阻抗值。它还具有中等电流和电压增益。但是输出信号的相移为1800,即输入和输出都是相反的。

10.共发射极晶体管电路

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输入特征

得到了输入电流I之间的共发射极结构的输入特性B输入电压V输出电压恒定VCE.保持输出电压VCE恒定和改变输入电压V对于不同的点,现在记录每个点的输入电流值。现在用这些值,我们需要画出I的值之间的图B和V在恒定VCE.计算输入电阻R的方程下面给出。

R= V/我B(当VCE在恒定)

11.普通发射器配置的输入特性

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输出特性

在输出电流I之间得到了普通发射极结构的输出特性C输出电压VCE输入电流恒定IB.保持底数为IB恒定和改变输出电压V的值CE对于不同的点,现在记下收集器I的值C对于每一个点。画出参数I之间的图C和VCE为了得到通用发射极结构的输出特性。从这个图中计算输出电阻的公式如下所示。

R= VCE/我C(当我B在恒定)

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晶体管的结构

晶体管配置汇总表

上面给出了三种构型晶体管的主要特性的表格。BJT晶体管主要有三种结构。它们是共发射极、共基极和共集电极配置。在这三种构型中,共发射极构型使用最多。这三种不同的特性分别对应于输入和输出信号。而且这三种构型几乎没有相似之处。

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33的反应

  1. 你能解释一下当Vbe作为输入电压时,为什么Vin被使用?Vbe and Vcb are the input and output voltages..Then why the output is being taken across a resistor?

    1. 我们使用电阻,它也被称为负载电阻,没有负载电阻我们就不能测量或显示发射极电流,因为当我们说电流时,必须有负载,否则就没有电流,输入电压Vin是为了理解,我们也可以写Veb

  2. 你能解释一下当Vbe存在时Vin作为输入电压的使用吗?为什么需要通过电阻进行输出?这个问题是关于通用基础配置电路的。

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