初学者的DIAC指南|符号，工作，应用程序

在本教程中，我们将了解一个名为DIAC的重要半导体组件。我们将了解其符号，构建，工作，V-I特性，应用程序和一些示例电路。

介绍

DIAC与晶体管类似，更严格地称为晶体管而不是晶体管。但是，它在TRIAC触发和其他基于阈值的电路中具有重要作用。几个门触发电路使用该装置来实现更大的触发稳定性和噪声抗扰度。

DIAC代表二极管交流开关。它是两个终端双向开关装置。在正常二极管的情况下，这些端子未命名为阳极和阴极。这表明该设备可以在任一方向上使用。

DIAC的符号如下图所示。它在两个方向上都有两个箭头，这意味着它对电源电压的任何极性进行传导。在可控硅器件的情况下，DIAC没有一个控制终端作为门。

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双向开关二极管结构

diac的结构看起来像一个晶体管;然而，这两者之间有几个不同之处。其中一些是
•所有层中的掺杂浓度是相同的，而晶体管具有高度掺杂的发射器，轻微掺杂的集电体和适度掺杂的基部。
•晶体管是三个终端装置，而DIAC是两个终端装置。
•DIAC中的三个区域的尺寸相等。

该变频器可制作成三层、四层或五层结构。三层结构比其他结构更常用。三层dac可以构造成PNP或NPN结构。在PNP形式下，两个端子连接到被N区隔开的外部硅p区。这个结构和PNP晶体管一样，没有底座连接。

考虑PNP晶体结构，其中端子1和2分别连接到P1和P2外层，其被N层分开。当端子T1相对于端子2是正的时，结偏置的结P1-N是正偏置的，并且P2-N是反向偏置的。当达到P2-N的破坏电压时，整个结构进入导通模式，因此从端子1到端子2的DIAC导尿。如果终端2相对于端子1是正的，则会发生反向。

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双人的工作

只要电源电压无论是正的还是负的被施加在一个直流电的端子上，只有一个小的泄漏电流流过这个设备。因此，该设备工作在正向或反向阻塞模式。当所加电压增加到与击穿电压相等的值时，在反向偏置结处就会发生雪崩击穿。

然后，它开始进行并且表现出负电阻特性，即，随着施加电压的值降低，电流随着施加电压的值而增加。导通期间的电压降非常少，等于DIA的ON状态下降。当进入导通模式时，电流会增加。因此，为了在任一方向上的这种导通电流的安全操作水平，电阻与DIAC串联连接。

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v-i的DIAC的特征

下图显示了DIAC的V-I特性，其指示电流通过DIAC相对于其上的电压流过DIA。只要它的电压在其从-Vbo到+ VBO的分解限制内，DIAC提供的电阻非常高。

因此，小漏电流流过装置，以施加小于+ VBO和低于-VBO的负电压，如图所示。特征部分中的区域OA是阻挡区域。在这些条件下，DiaC作为开关操作。电压+ VBO和-VBO是击穿电压，通常在30至50伏的范围内。

一旦施加的正电压或负电压大于各自的击穿电压，这意味着在上图中的A点，直流开始导电，电压降通过设备成为几伏。AB部分代表直流电的传导。

这种传导连续，直到设备电流低于其保持电流水平。根据该图，应注意，保持电流和断路器电压值是相同的，用于反向和前向操作区域。第一和第三象限特征代表DIAC的前向和反向偏置条件。

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应用程序

由于可控硅需要正或负门脉冲进入导通状态。虽然它可以由一个简单的电阻点火电路触发，但为了可靠和更快的接通，dac与门串联使用。

因此，diac主要用作三角肌的触发装置。在今天的市场上，有几种Diac-Triac匹配对可用于不同的控制电路。在电机调速、调光、热控制等相位控制电路中用作触发器件。

例子电路

光衰减器电路

下图是调光电路。通过这种方法，可以平稳地控制灯的供电。可变栅极电压是由可控硅开关的栅极端设置RC来产生的。当设备关闭时，通过可控硅的系列R4-C1网络限制电压的上升速率。

当输入电压加到电路上时，c1和c2开始以由电阻R2决定的速率充电。当电容c3上的电压超过直流电压时，直流触发并开始传导。然后，电容C3开始放电，通过导通dac进入可控硅的门。

因此，三折导通并将电流传递到灯。通过改变电阻R2，电容器中的电荷速率变化，因此控制在输入的正和负半周期中触发三端双向可控硅的电压。

在上图中，显示了供应和负载电压。TRIAC的烧成角度可以变化到180度。因此，负载电压从零值控制到完全RMS值。

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加热器控制电路

下图显示了DIAC作为触发装置的使用，以提供加热器产生的热量的平稳控制。该电路操作也类似于上述电路。穿过三端双向可控硅的LC组合降低了三端双向可控硅转向后电压升高速率。

通过调节电阻R2来控制加热器输入电压的正、负半周期。对于R2的所有可变位置，通过将电阻R4放置在diac上进行平滑控制。

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